Samsung Electronics e SK Hynix continuano a investire negli impianti NAND in Cina, con l’obiettivo di aumentare la capacità produttiva e ridurre lo squilibrio tra domanda e offerta nel mercato delle memorie flash.
Il focus è su due siti strategici: la fabbrica Xi’an X2 di Samsung e il secondo impianto di Dalian di SK Hynix. Nel primo caso è previsto l’arrivo di nuove apparecchiature per l’incisione dei wafer, mentre nel secondo è in programma un ampliamento della capacità mensile con l’introduzione di macchinari chiave a partire dal 2026.
Samsung aggiorna Xi’an X2 con V-NAND di nona generazione
Samsung sta portando avanti l’aggiornamento del processo produttivo nella fabbrica Xi’an X2 già dalla prima metà del 2026. L’intervento riguarda la conversione di linee più datate verso la più recente V-NAND di nona generazione, indicata con una struttura a 286 strati, un dato importante perché segnala un salto diretto verso una tecnologia di fascia alta per la memoria flash.
Per sostenere questo passaggio, l’azienda prevede di introdurre nuove apparecchiature dedicate ai processi di incisione, uno dei punti più delicati nella produzione di NAND ad alta densità. Gli ordini di acquisto per questi strumenti dovrebbero essere finalizzati entro il 2026, segnale che il progetto non è soltanto pianificato ma sta entrando in una fase operativa più concreta.
SK Hynix amplia Dalian e punta su più wafer al mese
Sul lato SK Hynix, l’investimento ruota attorno al secondo stabilimento di Dalian, dove è prevista un’espansione della capacità pari a 30.000 wafer al mese. In questo caso il nodo centrale non è tanto l’aggiornamento di una singola generazione di memoria, quanto l’aumento effettivo dei volumi disponibili, una leva decisiva in una fase in cui il mercato cerca maggiore equilibrio tra produzione e domanda.
L’introduzione delle attrezzature chiave, incluse le macchine per la litografia, dovrebbe iniziare da ottobre 2026. È un dettaglio rilevante perché indica una tabella di marcia abbastanza definita e suggerisce che l’ampliamento dell’impianto procederà con investimenti mirati sui passaggi produttivi più sensibili.
Perché questi investimenti NAND meritano attenzione
La notizia è significativa perché conferma che la Cina resta un tassello industriale importante per la produzione NAND dei grandi gruppi coreani. Samsung punta a migliorare il livello tecnologico del sito di Xi’an, mentre SK Hynix rafforza la base produttiva di Dalian: due strategie diverse che convergono sullo stesso obiettivo, ciòè aumentare la disponibilità di memoria flash.
Per chi segue il settore componenti, il dato più interessante è che gli investimenti non sembrano limitarsi alla manutenzione ordinaria degli impianti, ma riguardano sia nuove apparecchiature sia capacità aggiuntiva.
