Samsung avrebbe rivisto la roadmap delle sue DRAM di prima generazione sotto i 10 nm, scegliendo una struttura basata su hybrid bonding invece dell’impostazione inizialmente prevista. La novità riguarda il nodo che entrerà in scena dopo l’attuale famiglia 1d nm, ciòè la settima generazione della piattaforma 10 nm-class dell’azienda.
Il cambio di direzione è rilevante perché sposta al centro una soluzione già più vicina alla produzione su larga scala. In pratica, Samsung punterebbe a separare la realizzazione dell’array di memoria e dei circuiti periferici su wafer distinti, unendoli poi con collegamento wafer-to-wafer.
Samsung riorganizza i nodi DRAM sub-10 nm e promuove il nuovo D0a
Lo sviluppo starebbe procedendo in parallelo su due approcci per la prima DRAM sub-10 nm. In origine, il nodo destinato a diventare il processo principale D0a era legato all’architettura 4F² VCT, ciòè una soluzione con transistor a canale verticale. Con la revisione della roadmap, però, la denominazione D0a passerebbe al nodo B1b basato su hybrid bonding, mentre il progetto 4F² VCT verrebbe rinominato D0a-V.
Non si tratta soltanto di un cambio di sigla. La nuova impostazione suggerisce che Samsung stia dando priorità a un percorso considerato più pratico sul piano produttivo, lasciando l’alternativa con canale verticale come sviluppo distinto.
Come funziona l’hybrid bonding scelto per la nuova generazione di DRAM
Nel nuovo schema, l’array di memoria e i circuiti periferici verrebbero prodotti su wafer differenti e successivamente uniti con tecnologia W2W, ciòè wafer-to-wafer. Questo approccio consente di ottimizzare in modo più mirato le due parti del chip, che hanno esigenze diverse in termini di prestazioni, densità e comportamento elettrico.
L’hybrid bonding non è una tecnica del tutto nuova nel mondo memoria: è già ampiamente utilizzata nella 3D NAND. Proprio questa maturità industriale viene vista come uno dei suoi punti di forza.
Perché questa scelta conta per il mercato delle memorie nei prossimi anni
La decisione arriva in una fase in cui Samsung sta ricalibrando la propria strategia produttiva sulle memorie avanzate. Portare una nuova DRAM sotto i 10 nm in fabbrica non significa soltanto aumentare la densità, ma anche contenere costi, complessità e resa, tutti fattori che incidono direttamente sulla competitività rispetto ai rivali.
Se il nodo D0a basato su hybrid bonding verrà confermato come piattaforma principale, Samsung potrebbe accelerare l’adozione di una struttura più flessibile e già supportata da esperienza concreta in altri segmenti.
