Samsung ha confermato l’intenzione di portare un die base a 2 nm nella generazione di memoria HBM5, segnando un passaggio importante rispetto alle attuali soluzioni HBM4 e HBM4E basate su processo a 4 nm. La scelta punta a rafforzare sia la potenza logica del package sia l’efficienza energetica, due aspetti centrali per i carichi AI di nuova generazione.
Il dato più interessante riguarda le prestazioni attese: HBM5 dovrebbe offrire una velocità operativa superiore di oltre il 50% rispetto a HBM4E. In parallelo, il die base supporterà una densità più elevata di TSV, ciòè le interconnessioni verticali nel silicio, così da rispondere alla crescente domanda di larghezza di banda e integrazione.
Samsung prepara HBM5 con die base a 2 nm per spingere prestazioni ed efficienza
La conferma arriva dai responsabili tecnici della divisione semiconduttori di Samsung, che hanno ribadito il piano già anticipato nei mesi scorsi. L’adozione del nodo a 2 nm nel die base dell’HBM5 non riguarda solo un aggiornamento di processo, ma un cambio di livello per la parte logica che gestisce il funzionamento dello stack di memoria.
Nel concreto, Samsung vuole migliorare contemporaneamente throughput, consumi e comportamento termico. Per le memorie HBM destinate ad acceleratori AI e datacenter, questi tre elementi contano quanto la capacità, perché incidono direttamente su densità di calcolo, raffreddamento e costi operativi.
- HBM5 è attesa con una velocità operativa oltre il 50% più alta rispetto a HBM4E.
- Il die base userà un processo produttivo a 2 nm invece dei 4 nm adottati su HBM4 e HBM4E.
- Il package supporterà una maggiore densità di TSV per aumentare l’integrazione verticale.
- L’obiettivo dichiarato è migliorare insieme prestazioni logiche ed efficienza energetica.
HBM4E mostra già dove Samsung vuole intervenire con la prossima generazione
Samsung ha spiegato che HBM4 e HBM4E condividono il processo a 4 nm per il die base, ma non la stessa implementazione. Nel caso di HBM4E, l’azienda ha sfruttato la flessibilità del nodo integrando componenti ad alta densità e altissime prestazioni, arrivando a velocità di 14+ Gbps.
Oltre alla pura velocità, Samsung ha lavorato anche sull’organizzazione degli strati metallici per ridurre i consumi e migliorare il percorso di dissipazione del calore. È un’indicazione utile perché lascia capire come HBM5 non cercherà solo più banda, ma anche una gestione termica più efficiente dentro package sempre più complessi.
- HBM4E raggiunge velocità di 14+ Gbps grazie a un die base ottimizzato.
- La disposizione più efficiente dei layer metallici aiuta a ridurre il consumo energetico.
- L’ottimizzazione del percorso termico è già parte della strategia Samsung sulle memorie HBM.
