Samsung starebbe ampliando in modo deciso la collaborazione con Nvidia sul fronte della memoria NAND, arrivando a destinare al partner oltre il 60% della propria capacità V-NAND. Il dato è rilevante perché segnala quanto l’infrastruttura AI stia spostando la domanda non solo su GPU e HBM, ma anche sullo storage flash ad alta densità.
Il punto chiave è il progetto CMX di Nvidia, pensato per gestire l’enorme volume di dati contestuali generati dai server AI. In questo scenario la V-NAND diventa centrale: più capacità nello stesso spazio, più SSD per modulo e un percorso chiaro verso generazioni sempre più dense come V9, V10 e V11.
Samsung rafforza la fornitura di V-NAND per i sistemi AI di Nvidia
La collaborazione tra Samsung e Nvidia si starebbe estendendo in modo importante alla V-NAND, ciòè la memoria flash con celle impilate verticalmente per aumentare densità e capacità. Rispetto alla NAND tradizionale a struttura planare, questa architettura consente di inserire più livelli nello stesso ingombro del chip ed è quindi particolarmente adatta a SSD enterprise.
Nel caso di Nvidia, la domanda nasce dall’espansione dei server AI e dalla crescita del cosiddetto KV cache, ciòè la memoria temporanea usata per mantenere il contesto dei modelli. Per ridurre il collo di bottiglia dei dati, Nvidia punta su Context Memory Storage, abbreviato CMX, e Samsung si starebbe posizionando come fornitore chiave della NAND necessaria a questa piattaforma.
- Samsung destinerebbe a Nvidia oltre il 60% della capacità produttiva V-NAND.
- La V-NAND è una memoria flash a impilamento verticale, pensata per aumentare densità e capacità.
- L’obiettivo è supportare i sistemi CMX usati da Nvidia nei server AI.
- CMX serve a gestire meglio i dati contestuali che crescono con l’aumento della scala dei modelli.
CMX cresce rapidamente e spinge la domanda di NAND su volumi enormi
Nella configurazione attuale, i sistemi CMX per server AI arrivano a integrare 576 SSD con una capacità complessiva di 9,600 TB. È un dato che aiuta a capire la scala del problema: i modelli generativi richiedono spazi sempre più ampi per conservare e richiamare il contesto, e questa esigenza si traduce direttamente in più NAND.
Le stime di settore indicano che la richiesta di NAND per CMX potrebbe toccare 35 milioni di TB nel 2026 e superare i 100 milioni di TB nel 2027. In parallelo, la produzione NAND annua di Samsung è prevista intorno a 250 milioni di TB, numeri che spiegano perché l’azienda voglia consolidare il ruolo di fornitore principale per questa categoria di carichi AI.
- Un sistema CMX Nvidia può includere 576 SSD.
- La capacità totale per sistema arriva a 9,600 TB.
- La domanda NAND legata a CMX è stimata in 35 milioni di TB nel 2026.
- Nel 2027 il fabbisogno potrebbe superare 100 milioni di TB.
Samsung accelera su V9, prepara V10 e guarda già a una V11 fino a 500 layer
Sul piano produttivo, Samsung avrebbe già superato una capacità di 100.000 wafer al mese per la V-NAND. La generazione V9, basata su 286 layer, rappresenta circa il 60% del totale e avrebbe ormai superato l’80% di resa produttiva, segnale di una fase di produzione di massa più stabile. La quota V8 sarebbe invece scesa sotto il 40%, confermando il rapido spostamento delle linee verso V9.
Il passaggio successivo è V10, che dovrebbe offrire un numero ancora maggiore di layer e permettere a Nvidia di inserire SSD più capienti nello stesso modulo CMX. In prospettiva, Samsung starebbe già studiando una V11 specifica per CMX con un’altezza massima fino a 500 layer.
- Capacità produttiva V-NAND Samsung: oltre 100.000 wafer al mese.
- V9 usa 286 layer e pesa per circa il 60% della produzione.
- La resa produttiva di V9 ha superato l’80%.
- V8 è scesa sotto il 40% del mix produttivo.
- V10 dovrebbe aumentare la densità del 50% rispetto a V9.
- V11 è allo studio con un’altezza massima fino a 500 layer.
