Samsung Electronics avrebbe rimesso in accelerazione lo sviluppo del nodo produttivo 1,4 nm SF1.4, una tappa chiave per la sua divisione foundry dopo il rinvio della produzione di massa dal 2027 al 2029.
La mossa piu interessante riguarda la collaborazione piu stretta con i fornitori di macchinari, in particolare Applied Materials e Lam Research, con l’obiettivo di costruire una combinazione di attrezzature ottimizzata per questo processo, anche tramite versioni personalizzate di sistemi standard.
Samsung accelera sul nodo 1,4 nm e prepara l’ecosistema produttivo
Il piano di Samsung punta a rafforzare il coordinamento tra fonderia e fornitori lungo tutta la filiera, cosi da arrivare piu velocemente a un set di apparecchiature adatto al nodo SF1.4. Non si tratta solo di acquistare macchinari, ma di definire una piattaforma produttiva calibrata sulle esigenze reali del processo, inclusi strumenti standard adattati in modo specifico.
Per il settore e un passaggio importante, perche sotto i 2 nm la resa produttiva e l’integrazione tra litografia, deposizione, incisione e controllo diventano ancora piu decisive. In questo quadro, il ritorno a un’accelerazione sul 1,4 nm segnala che Samsung vuole recuperare slancio nella corsa ai nodi piu avanzati.
- Produzione di massa del nodo SF1.4 ora attesa nel 2029.
- Il piano iniziale indicava il 2027 come obiettivo per il debutto produttivo.
- Samsung ha condiviso lo schema di processo con Applied Materials e Lam Research.
- L’obiettivo e sviluppare una combinazione di macchinari piu adatta al nodo, anche con versioni personalizzate.
High NA EUV e nuove linee NAND mostrano la direzione tecnica di Samsung
Samsung ha gia introdotto da ASML un sistema di litografia High NA EUV, installato nel complesso di ricerca semiconduttori NRD-K. Per l’azienda, questa piattaforma dovrebbe trovare il primo impiego produttivo proprio con il nodo SF1.4, segnalando che la roadmap del processo e strettamente legata alla nuova generazione di litografia estrema ultravioletta.
In parallelo, Samsung ha anche ordinato attrezzature per la dodicesima generazione di V-NAND, prevista in produzione attorno al 2030 e basata su una struttura di impilamento dei wafer. Il doppio movimento, logica avanzata da un lato e memoria dall’altro, conferma un investimento ampio sulle tecnologie chiave dei prossimi anni.
- Macchina High NA EUV gia acquisita da ASML.
- Sistema installato nel centro di ricerca semiconduttori NRD-K.
- Il primo utilizzo previsto del High NA EUV in casa Samsung sarebbe sul nodo SF1.4.
- Ordinati anche i macchinari per la 12a generazione V-NAND.
- La nuova V-NAND e attesa verso il 2030 con architettura a impilamento di wafer.
