Samsung sostiene di aver sviluppato il primo prototipo al mondo di chip di memoria flash V-NAND a 900 strati, un risultato che alza ancora l’asticella nella memoria NAND per storage e data center. Il nuovo chip usa una tecnica chiamata Cell Multi-Bonding per unire due wafer da 450 strati in un unico componente.
La mossa serve soprattutto a ribadire la leadership tecnologica nel settore delle memorie, in un momento in cui la domanda di NAND e DRAM cresce per effetto dei carichi di lavoro legati all’intelligenza artificiale. Nel mirino c’è anche la concorrenza di SK Hynix e del cinese YMTC, due nomi sempre più aggressivi nel segmento ad alta densità.
Samsung spinge la V-NAND a 900 strati con un prototipo record
Il prototipo annunciato da Samsung rappresenta un salto importante nella densità di archiviazione. La logica è semplice: più strati NAND vengono impilati, maggiore è la capacità ottenibile a parità di spazio, con un vantaggio anche sul fronte dei consumi energetici.
Nel nuovo progetto, Samsung ha lavorato su un’architettura a 900 strati classe V-NAND e ha usato la tecnologia Cell Multi-Bonding per unire due wafer da 450 strati. È una soluzione pensata per spingere oltre i limiti fisici della stratificazione tradizionale.
- Prototipo di memoria flash V-NAND a 900 strati.
- Tecnologia Cell Multi-Bonding: unione di due wafer da 450 strati.
- Obiettivo: più densità di archiviazione e consumi più contenuti.
- Il chip è ancora in fase di ricerca, non in produzione di massa.
La sfida con SK Hynix e YMTC passa dalla memoria per l’intelligenza artificiale
Samsung arriva a questo traguardo mentre SK Hynix è considerata un riferimento nel segmento NAND ad alto numero di strati con i suoi chip da 321 strati. Sullo sfondo c’è anche YMTC, che ha già avviato la produzione di NAND da 294 strati.
La competizione non riguarda solo il numero di strati, ma anche la capacità di sostenere la domanda generata dall’intelligenza artificiale. In questo contesto, memorie più dense e più efficienti diventano un vantaggio concreto per server, storage di fascia alta e infrastrutture data center.
- SK Hynix è attualmente forte nel segmento ad alto numero di strati con chip da 321 strati.
- YMTC ha già iniziato la produzione di NAND da 294 strati.
- Samsung sta anche preparando la produzione di massa di NAND di decima generazione a 400 strati.
- La spinta verso l’AI rende la densità e l’efficienza energetica sempre più importanti.
