Exynos 2600 ufficiale: il primo SoC a 2nm

Samsung ha annunciato Exynos 2600, il primo SoC per smartphone realizzato con processo 2 nm GAA (Gate-All-Around). Il chip si posiziona sopra Exynos 2500 e promette miglioramenti sensibili su CPU, GPU, AI on‑device ed efficienza termica. Non c’è ancora conferma ufficiale sull’impiego nei prodotti commerciali, ma è plausibile una presenza in alcuni modelli della serie Galaxy S26 a seconda dei mercati.

Il nuovo SoC punta su un’architettura CPU a 10 core interamente orientata alle prestazioni, una GPU Xclipse 960 con ray tracing migliorato, una NPU più potente per carichi AI e una nuova soluzione di dissipazione. Sul fronte foto/video, l’ISP integra supporti avanzati fino a 320 MP e registrazione 8K/30 fps. La piattaforma è completata da LPDDR5X, UFS 4.1 e display fino a 4K/120 Hz con HDR10+.

    Exynos 2600 – Altre specifiche

    Samsung adotta i più recenti core Arm v9.3 (indicati come C1‑Ultra e C1‑Pro) senza i tradizionali “little core” a bassissimo consumo. La scelta privilegia la reattività, ma andrà valutata l’efficienza ai bassi carichi in scenari reali.

    • Configurazione: 1× C1‑Ultra @ 3,8 GHz, 3× C1‑Pro @ 3,25 GHz, 6× C1‑Pro @ 2,75 GHz.
    • Prestazioni dichiarate: fino a +39% sulla CPU rispetto a Exynos 2500.

    Questa impostazione “all‑big” suggerisce una gestione aggressiva del scheduling: i miglioramenti potrebbero riflettersi su tempi di risposta e multitasking, ma l’autonomia dipenderà molto dal tuning dei partner e dalla capacità di spegnere/limitare i cluster in idle.

    GPU e gaming

    La nuova Xclipse 960 promette un netto salto per il gaming mobile:

    • Fino a la potenza di calcolo rispetto alla generazione precedente.
    • +50% nelle prestazioni di ray tracing.
    • Introduzione di Exynos Neural Super Sampling (ENSS), tecnologia che sfrutta l’AI per upscaling di risoluzione e generazione dei frame.

    Se confermate, queste scelte potrebbero migliorare sia la qualità visiva sia la stabilità del frame rate, soprattutto in titoli che abilitano RT e tecniche di upscaling.

    AI on‑device e acceleratori

    L’engine AI integra una NPU 32K MAC con supporto a Arm SME 2 (Scalable Matrix Extension 2) per accelerare operazioni matriciali tipiche di ML/DL.

    • Vantaggio dichiarato: +113% nelle prestazioni AI vs Exynos 2500.
    • Ambiti d’uso: elaborazioni on‑device per fotografia computazionale, assistenti generativi, traduzione, upscaling video e gaming via ENSS.

    SME 2 e le ottimizzazioni della NPU indicano un focus su modelli sempre più complessi eseguiti localmente, con benefici di latenza e privacy.

    Gestione termica e efficienza

    Per affrontare i noti problemi di surriscaldamento della famiglia Exynos, Samsung introduce Heat Path Block (HPB) con materiali High‑k EMC, con riduzione della resistenza termica dichiarata del 16% e trasferimento del calore più efficace, con un comportamento “simile a un dissipatore”.

    Comparto fotografico e video

    Il nuovo ISP aumenta la flessibilità in fase di scatto e registrazione, con un occhio all’efficienza energetica:

    • Supporto fotocamera: singola fino a 320 MP o doppia 64 MP + 32 MP.
    • Zero shutter lag fino a 108 MP.
    • Video: 8K/30 fps e 4K/120 fps con HDR, più codec APV proprietario per qualità superiore.
    • Efficienza: ISP fino al 50% più efficiente rispetto alla generazione precedente.

    Queste specifiche mirano a ridurre latenza e consumi durante scatti ad altissima risoluzione e slow‑motion 4K ad alto frame rate.

    Memoria, storage e display

    La piattaforma integra standard aggiornati e target “flagship”:

    • Memoria: LPDDR5X.
    • Storage: UFS 4.1.
    • Display: fino a 4K/120 Hz con HDR10+.

    La risposta di Qualcomm e MediaTek

    Sia Qualcomm sia MediaTek preparano SoC a 2 nm prodotti da TSMC (N2P), probabilmente chiamati Snapdragon 8 Elite Gen 6 e Dimensity 9600. Le presentazioni sono attese attorno a settembre, in linea con il calendario abituale delle due aziende. Le soluzioni TSMC a 2 nm potrebbero offrire un profilo di efficienza differente; il confronto diretto su silicon e device reali sarà decisivo per valutare maturità del nodo, prestazioni sostenute e gestione termica.

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